直流負壓濺射和直流濺射  在直流濺射中，帶正電的離子被吸引到接地的、帶負電的濺射靶上，從靶材上濺射出原子，然后這些原子在樣品（也稱為襯底）上沉積形成薄膜。通常情況下，濺射靶被接到正極，而樣品端（襯底）被接到負極或接地。
  

   然(ran)而，有(you)些情況下（如反濺射或(huo)(huo)偏(pian)壓濺射），樣品端會被接到正極以(yi)吸引多(duo)余的(de)離子(zi)(zi)，從而實(shi)現清潔襯底表(biao)面或(huo)(huo)形成離子(zi)(zi)轟擊確保薄(bo)膜和基底的(de)結(jie)合(he)強(qiang)度。這種電源連接方式(shi)可以(yi)提高薄(bo)膜的(de)層內應力(li)，改善其結(jie)晶性能，以(yi)及提高薄(bo)膜沉積(ji)效率(lv)。

   這種操(cao)作(zuo)需(xu)要(yao)一(yi)定的注(zhu)意事項，因為(wei)樣品(pin)端上高電(dian)(dian)壓可能(neng)會導致放(fang)電(dian)(dian)，影響設(she)備的穩(wen)定性(xing)和(he)薄(bo)膜(mo)的質量，還有可能(neng)對樣品(pin)造成損壞。根據具體(ti)(ti)的設(she)備設(she)計和(he)操(cao)作(zuo)要(yao)求，可能(neng)需(xu)要(yao)在樣品(pin)端和(he)電(dian)(dian)源之間(jian)添(tian)加一(yi)個抗電(dian)(dian)弧(hu)裝置來(lai)降(jiang)低這種風險。