高溫高密度等離子體腔體是一種石英材料制成的封閉腔室，內部常常充滿等離子體氣體。等離子體是一種高溫、高密度的氣體，由帶正電荷的離子和帶負電荷的電子組成，具有導電性能。這種石英腔可以用于等離子體物理研究、等離子體加工技術以及材料表面改性等領域。

高溫高密度等離子體腔體可以有效地將等離子體與外界隔離，從而提高等離子體的純度和密度，同時保護外部設備不受等離子體的影響。例如，在半導體制造過程中，石英腔可以通過對氣體進行高頻電場激勵來產生等離子體，用于蝕刻、沉積和表面改性等工藝。此外，石英腔還能保持良好的熱穩定性和耐腐蝕性，使其能夠在高溫、高壓和高氧化性的環境下，長期運行。

電感耦合等離子（Inductively Coupled Plasma，ICP）和電容耦合等離子（Capacitively Coupled Plasma，CCP）是兩種廣泛用于實驗室中的等離子體源。它們的主要區別在于它們產生等離子體的機制和特點。

ICP是在高整流器運作的RF（射頻）電源提供的高頻RF（常見頻率是27.12 MHz）的作用下工作的，而這個RF電源將產生的高頻電場通過感應耦合傳送到氣體放電管（都柏林管）內。這種電場產生了交變電壓，導致氣體分子發生電離，產生了等離子體。ICP的優點在于它可以產生非常高的電子溫度和較高的等離子體密度，并用于產生高靈敏度的熒光譜檢測。

另一方面，CCP是通過直接應用高頻電場在帶電片和反電極之間產生的交變電場來產生等離子體的。這種電場使電極表面產生周期性的荷電狀態變化，從而促進了等離子體的生成。CCP的優點是其低能耗和簡單的結構，但它通常只能產生低電子溫度和低等離子體密度的等離子體，因此在熒光譜檢測方面使用較少。

因此，這兩種等(deng)離子體產生(sheng)技術在實(shi)驗室中都得到廣泛應用，并根據所需的特定應用和實(shi)驗室條件進行選擇。

技術(shu)規格(ge)參數：

腔體材質：鋁合金+石英玻璃

腔體尺寸：內徑110mmx深度220MM

腔體容積：2.5L

腔體觀察窗：內徑φ35   石英玻璃

腔體抽氣口：KF16

腔體進氣口：6MM卡套

腔體真空度：機械泵小于等于0.5Pa